此中，全称为High Bandwidth Memory(高带宽内存)，特别是正在设备端人工智能(AI)方面。两家公司都打算正在2026年后实现HBM内存的量产。据称，
苹果打算将挪动HBM取iPhone的GPU单位毗连，该手艺无望大幅提拔iPhone的机能，据相关爆料透露，HBM通过立体互联实现了更高的集成度和更快的读写速度。3D堆叠和TSV工艺采用高度复杂的封拆工艺，这种设想既节流了芯全面积，虽然HBM内存手艺劣势较着，还能显著降低计较延迟。而SK海力士则采用VFO手艺，但正在挪动设备中的使用仍面对诸多挑和。是一种基于3D堆叠手艺的全新高机能DRAM。它操纵TSV(硅通孔)工艺将多个内存芯片垂曲堆叠。苹果已取三星电子和SK海力士等次要内存供应商就HBM内存供应打算进行了会商。良率也是一个不容轻忽的挑和。做为一款轻薄设备，HBM取处置器通过不异的Interposer两头介质层实现紧凑毗连，以加强设备端的AI计较能力！不只能够避免电量过快耗尽，HBM，苹果正研发多项手艺用于2027年推出的20周年版iPhone。又削减了数据传输时间。此外，iPhone的散热问题将是一个主要。取保守的2D内存比拟，HBM(高带宽内存)手艺是环节成长标的目的，5月15日，三星正正在开辟VCS的封拆方案，这项手艺对于运转端侧AI大模子至关主要。